创芯大赛季 | 【活动邀请】5G已至，赋能第三代半导体产业新发展！
5G终于来了，预热很久的5G商用牌照落地。
6月6日，工信部正式向中国电信、中国移动、中国联通、中国广电四家运营商发放5G商用牌照，这标志着中国正式进入5G商用元年。
这是一张在北京联通办公室实测的 4G 和 5G 的网速对比图。
6月6日，北京邮电大学的学生 @老师好我叫何同学 发布了自己测试学校5G网络的视频，引发热议，尤其是后面作者回顾4G时代到来前，人们对4G的展望与如今4G带来的实际变化之间的对比，让更多人展开了对5G、对未来的思考。
平均下载速率在700Mbps左右，差不多是4G的十倍快！
下载音乐，只能看到“未下载”和“已完成”两个画面。
这么快的5G 将带来什么产业变化、有什么机会？
5G时代来临，除了使得链线装置数量提升外，耗电量也同步提升，因此无线通讯质量及节能需求使得宽能隙半导体材料受到重视，SiC散热性佳，能承受高温、高电压、大电流的操作环境，这类高电压应用的操作环境较为特殊，预期未来将在利基型市场(Niche Market)场大放异彩。
GaN则在高频环境具优势，对无线通讯质量的提升有相当大帮助，随着GaN-on-Si的技术逐渐成熟，其制造成本更加具有竞争力，未来相当有机会应用在智能型手机等大众市场，因此SiC及GaN未来将朝向不同领域的市场发展。
▌5G高频特性，使GaN技术有伸展空间
目前基地台用功率放大器(Power Amplifier，PA)主要为基于硅的横向扩散金属氧化物半导体(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor，LDMOS)技术，不过LDMOS技术仅适用于低频段，在高频应用领域存在局限性。
由于LDMOS功率放大器的频宽会随着频率增加而大幅减少，运用于3.5GHz频段的LDMOS制程已接近限制，性能开始出现下滑，在考虑5G商用频段朝更高频段发展下，过去LDMOS将逐渐难以符合性能要求，因此第三代半导体材料GaN技术崛起；由于GaN技术支援更高资料容量之多资料传输，同时搭配5G高速网络，不论在频宽、性能、容量、成本间可做出最佳成效。
换言之，GaN优势在于更高功率密度及更高截止频率(Cutoff Frequency，输出讯号功率超出或低于传导频率时输出讯号功率的频率)，尤其在5G多输入多输出(Massive MIMO)应用中，可实现高整合性解决方案，例如模块化射频前端元件，以毫米波(Millimeter Wave，mmWave)应用为例，GaN高功率密度特性可有效减少收发通道数及尺寸，实现高性能目标，然短期LDMOS会与GaN共存，主要原因在于低频应用仍会采用LDMOS，例如2GHz以下应用领域。
▌5G基地台的功率放大器将以砷化镓与GaN制程为主
从Qorvo产品应用来看，采用GaN技术将天线阵列功耗降低40%，透过整合式多通道模块、3～6GHz及28/39GHz频段在射频前端产品的布局，更加强调高性能、低功耗、高整合度、高易用性等目标达成。
其中GaN可达LDMOS原始功率密度4倍，每单位面积功率提高4～6倍，即在相同发射功率规格下，GaN裸片尺寸为LDMOS裸片尺寸的1/6～1/4。由于GaN具有更高功率密度特性，能实现更小元件封装，满足Massive MIMO和主动天线单元(Active Antenna Unit，AAU)技术下射频前端高度整合需求。
目前GaN运用以5G基础设施(如基地台)为主，手机较难采用GaN技术，主要挑战包括：(1)GaN成本高；(2)GaN供电电压高；较不符合手机需求，不过若未来透过改进GaN射频元件特性，仍有可能应用于手机，例如加入新的绝缘介质与沟道材料，使其适应低电压工作环境。无论如何，GaN已成为高频、大功耗应用技术首选，包括需高功率水平的传输讯号或长距离应用，例如基地台收发器、雷达、卫星通信等。
5G将为半导体行业提供新的成长动力
5G 将引领产业进一步升级
那么
5G与第三代半导体将擦出怎样的火花？
▌活动介绍
2019年全国大众创业万众创新活动周北京会场拟以“引领经济高质量发展”为主题，以新中国成立70周年为主线，突出体现自主创新、区域协同、开放融合、科技惠民、双创生态，集中展现中关村在科技服务业发展方面的新技术、新产品、新模式和新业态。
借此双创周之际，由中关村顺义园管理委员会、北京国联万众半导体科技有限公司承办的第八届中国创新创业大赛北京赛区暨北京银行杯中国·北京创新创业大赛季（2019）电子信息行业赛将为大家分享5G与第三代等先进半导体技术的精彩内容。
▌组织机构
主办单位：中关村顺义园管理委员会
承办单位：北京国联万众半导体科技有限公司
▌时间地点
活动地点：中关村国家自主创新示范区展示中心西展区西南角“开放融合”活动区
▌分享嘉宾
于坤山
第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长、
国联万众副总经理
陈文华
清华大学电子工程系长聘副教授
▌议程安排
15：00-15：10 顺义园产业特色及政策介绍
15：10-15：30 北京银行杯中国·北京创新创业大赛季电子信息行业赛宣讲
15：30-16：00 主题分享：第三代半导体电力电子发展趋势
16：00-16：30 主题分享：氮化镓射频功率器件及其在5G中的应用
▌活动报名
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▌温馨提示
1、本次活动免费。
2、报名的朋友们如果提供的email和手机号码无误，我们会在活动开始前一天发送短信和邮件确认。所以请确认自己填写的email地址无误。如果未收到确认函，可致电话：17080139956 进行咨询。